產(chǎn)品介紹

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MP1916 是一款 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，它能夠以低柵極電壓驅(qū)動(dòng)半橋或同步應(yīng)用中的增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) MOSFET 和 N 溝道 MOSFET。該器件具有獨(dú)立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入。

MP1916 運(yùn)用 MPS 特有自舉 (BST) 技術(shù)提供 HS-FET 驅(qū)動(dòng)電壓，其最高工作電壓可達(dá) 100V。BST 充電技術(shù)可防止 HS-FET 驅(qū)動(dòng)電壓超過電源電壓 (VCC)，從而避免柵極電壓 (VGATE) 超過增強(qiáng)型 GaN MOSFET 的最大柵源電壓 (VGS) 額定值。

MP1916 具有兩個(gè)獨(dú)立的柵極，通過向柵極環(huán)路添加阻抗，可分別控制 MOSFET 的導(dǎo)通和關(guān)斷速度。

MP1916 采用 WLCSP-12L (2mmx2mm) 封裝。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢

獨(dú)立上管 (HS) 和下管 (LS) 邏輯輸入

上管MOSFET (HS-FET) 浮動(dòng)偏置電壓軌最高工作電壓達(dá) 100VDC

獨(dú)立柵極輸出實(shí)現(xiàn)可調(diào)導(dǎo)通和關(guān)斷速度控制

4.5V 至 5.5V 電源電壓 (VCC) 范圍

0.2Ω 下拉電阻和 1.3Ω 上拉電阻

快速傳播時(shí)間（17ns典型值）

出色的傳播延遲匹配（1.5ns典型值）

采用 WLCSP-12L（2mmx2mm）封裝