隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展，其動力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件：IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動件需求量十分可觀；為更好地迎合上述市場的需求，金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動電源QA_(T)-R3S系列（“T”為貼片式封裝）。

該產(chǎn)品適用于充電樁、新能源光伏、智能電網(wǎng)、工業(yè)控制、軌道交通和變頻白電等行業(yè)。

產(chǎn)品優(yōu)勢

1.QA-R3S系列驅(qū)動電源產(chǎn)品

①5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強(qiáng)絕緣

輸入-輸出隔離電壓高達(dá)5000VAC，優(yōu)于市場上常規(guī)產(chǎn)品，且滿足加強(qiáng)絕緣設(shè)計要求，整體可靠性得到極大提升。

②滿足1700V長期絕緣要求（適用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）

基于IEC-61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)要求，實現(xiàn)長期絕緣電壓（局部放電）達(dá)到1700V，應(yīng)用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。

③高可靠性，耐受1000+次溫度沖擊

④多項性能指標(biāo)提升

該系列驅(qū)動電源相較于友商類似產(chǎn)品，在整體性能上可做到與行業(yè)水平持平或更優(yōu)。

2.QA_T-R3S系列驅(qū)動電源產(chǎn)品

①5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強(qiáng)絕緣

輸入-輸出隔離電壓高達(dá)5000VAC，優(yōu)于市場上常規(guī)產(chǎn)品，且滿足加強(qiáng)絕緣設(shè)計要求，整體可靠性得到極大提升。

②滿足2000V/2500V長期絕緣要求，6W產(chǎn)品原副邊間距>14mm

該系列2.4W產(chǎn)品基于IEC-61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)要求，實現(xiàn)長期絕緣電壓（局部放電）達(dá)到2.5kV，應(yīng)用范圍覆蓋2.5kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；而6W產(chǎn)品長期絕緣電壓達(dá)到2kV，應(yīng)用范圍覆蓋2kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。

③貼片式封裝方式

該系列均采用SMD封裝方式，相比插件式封裝，可有效節(jié)省空間、更靈活地在電路板上布局，并可提高產(chǎn)品生產(chǎn)的自動化程度和產(chǎn)品的防潮性能。

④高可靠性，耐受1000+次溫度沖擊

⑤多項性能指標(biāo)提升

產(chǎn)品應(yīng)用

該系列產(chǎn)品應(yīng)用于醫(yī)療行業(yè)的各種醫(yī)療器械等高隔離場合。

典型應(yīng)用

可應(yīng)用于光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動、充電樁、智能電網(wǎng)、工業(yè)控制、軌道交通和變頻白電等多種場合。

產(chǎn)品特點

1)QA-R3S系列

隔離電壓 5000VAC 

滿足加強(qiáng)絕緣 

CMTI>200kV/μs 

超小隔離電容 3.5pF( typ.)

局部放電 1700V

效率高達(dá) 87% 

工作溫度范圍: -40℃ to +105℃

超小型 SIP 封裝 

2)QA_T-R3S系列

隔離電壓 5000VAC 

滿足加強(qiáng)絕緣 

CMTI>200kV/μs

超小隔離電容: 2.4W產(chǎn)品2.5pF(typ.)；6W產(chǎn)品13pF(typ.)

局部放電 2.4W產(chǎn)品2.5kV；6W產(chǎn)品2kV

效率超過80%,（2.4W產(chǎn)品86%；6W產(chǎn)品81%）

潮敏等級(MSL) 1

AEC-Q100 實驗中

擁有4項高新專利，方案完全自主可控

工作溫度范圍: -40℃ to +105℃